日米半導体協定

時期

1986

種類

条約

座標

39.83° N, 98.58° W

Description

1986 semiconductor agreement

Date from

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日米半導体協定（にちべいはんどうたいきょうてい）は、1986年（昭和61年）9月2日に半導体に関する日米貿易摩擦（ないし特に「日米ハイテク摩擦」）を解決する目的で締結された条約である。第一次日米半導体協定(1986年～1991年)と第二次日米半導体協定(1991年～1996年、日米半導体新協定とも)の合計10年間にわたって有効であった。正式名称は日本政府と米国政府との間の半導体の貿易に関する取極 である。

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